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来源:《物理》1985年第01期  作者:华明达
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微离子束技术及其在微细加工中的应用

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二十多年前,著名的美国物理学家费曼说过:如果微细加工技术能加工线度8nm的图形,就可以把二十四卷《大英百科全书》刻在一个针尖上.今天,他的预言正在变成现实,微离子束的束斑直径已达到10nm. 由于计算机和空间技术的需要,微电子学迅速发展,集成电路的集成度越来越高,目前已制成512K的ROM.要求微细加工的线度在亚微米量级(图1). 早在 1954年,W,Shockley在提出离子掺杂工艺时就设想用微离子束掺杂来获得p-n结.六十年代,国内外在发展毫米束离子注入工艺时也曾试探过获得微米离子束,以便进行微细加工.1973年美国休斯实验室的R.L.Seliger等利用60kV离子注人机加装聚焦透镜,获得3.5#m的束斑,着靶束流wtlo‘k,初步实现了He微离子束光刻和B微离子束无掩膜注人“‘.但由于流强弱,束斑亮度小,故实用性差.解决这个问题的关键是要用新型的离子源来代替当时采用的双等离子体离子源. 场电离离子源技术的突破给微离子束以新的生命力.1975年,美国阿贡实验室的V.E.Krohn利用液态金属离子源获得束斑直径 15仟口匝、亮度口.9 X 10’A/cm‘Sr的微束“‘.1978(本文共计6页)......[继续阅读本文]

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