来源:《现代电子技术》2000年第09期  作者:Giani
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新潮DRAM芯光灿烂

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读写存储器分为静态读写存储器(SRAM)和动态读写存储器(DRAM)两种形式。从技术角度上讲,SRAM其实更适合作为系统的主内存使用,因为它的速度比DRAM快得多,而且不需要刷新电路来保持数据的“完整性”。但令人遗憾的是,由于物理尺寸较大,成本较高,SRAM未能成为系统主内存,而主要是作为高速缓存(Cache)集成在主板和CPU等设备中。而动态读写存储器 DRAM(Dynamic Random Access Mem-ory)的存储容量较大,使用最为普及,长期以来占据着系统主内存的主流。DRAM是利用MOS存储单元分布电容上的电荷来存储数据位的,由于电容电荷会泄漏,为了保持信息不丢失,DRAM需要周期性地不断对其刷新。由于这种结构的存储单元所需要的MOS管较少,因此DRAM的集成度高、功耗也小,同时每位的价格最低。DRAM一般都用于大容量系统中。DRAM的发展方向有两个,一是高集成度、大容量、低成本,二是高速度、专用化。 从1970年Intel公司推出第一块1kBDRAM芯片以来,其存储容量基本上是按每三年翻两番的速度发展。1995年12月韩国三星公司率先宣布利用0.16μm工艺研制成功(本文共计4页)......[继续阅读本文]

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