来源:《西南民族大学学报(自然科学版)》2015年第01期  作者:彭廉钦;田晶;王域;陈金伟;王瑞林;
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磁控溅射制备CdS/ZnO复合薄膜及其光电性能研究

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采用射频磁控溅射两步法制备出CdS/ZnO复合膜,并通过XRD、SEM、AFM、UV-vis、IPCE表征了制备的薄膜.SEM及AFM测试表明,相比于单独的CdS薄膜,CdS/ZnO复合膜的表面形成了更加明显的介孔结构;光电转换效率测试表明,相比单独的CdS薄膜,CdS/ZnO复合膜表现出更高的光电转换效率,0V(vs.Ag/Ag Cl)偏压下,IPCE值由36.1%(410nm)增大到66.1%(410nm).光电转换效率的增加一方面是由介孔表面引起的光吸收增加以及表面活性位增多引起;另一方面,两种半导体的复合形成异质结,异质结的形成促进了光生电子-空穴的分离,提高了薄膜的光电转换效率.(本文共计6页)......[继续阅读本文]

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