准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法

李同合,陈光遂,高捷

准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特性及稳定性有着重要影响。精确地测量... （共4页)