准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法

李同合,陈光遂,高捷

准静态C—V测量中的工频噪声滤除新方法*李同合陈光遂高捷(西安交通大学微电子工程系西安710049)0引言半导体界面陷阱密度Dit是表征Si-SiO2界面性质的一个重要参数,该参数对半导体器件,特别是对MOS晶体管特性及稳定性有着重要影响。精确地测量... (共4页)
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